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华体会hth体育最新登录-格芯追加投资160亿美元，推动基本芯片制造回流
当地时间6月4日，格芯（GlobalFoundries）宣布计划在美国投资160亿美元（约合人民币1150亿元），以扩大其在纽约和佛蒙特两州工厂的半导体制造和先进封装能力，推动基本芯片制造回流。据悉，格芯的新一轮投资分为两部分，其中超过130亿美元用于扩建和现代化其纽约和佛蒙特州的设施并为新成立的纽
2025-10-11 -
华体会hth体育最新登录-美光推出基于1γ节点的LPDDR5x DRAM内存
当地时间6月3日，美光宣布率先推出基于第六代10nm级制程（美光命名为1γ）的LPDDR5x DRAM内存。该种工艺特征尺寸约为11到12纳米，也被称为1c DRAM。美光指出，1γ节点的LPDDR5X是其首款采用极紫外光刻（EUV）技术的移动内存解决方案。可实现业界一流的10.7Gbps数据传输速
2025-10-10 -
华体会hth体育最新登录-南亚科定制内存项目有望2026年取得验证
据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。南亚科技总经理李培瑛表示，AI应用内存的四大关键元素分别是高密度先进DRAM、3D TSV硅通孔工艺与多芯片封装、HBM设计能力、逻辑Base Die。南亚科技目前已完成高密度先进DRAM
2025-10-10 -
华体会hth体育最新登录-我国首条光子芯片中试线实现量产
据“无锡科技”公众号消息，日前，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。据悉，上海交大无锡光子芯片研究院于2022年底破土动工，并率先启动国内首条光子芯片中试线建设。上海交大无锡光子芯片研究院院长金贤敏表示，无
2025-10-10 -
华体会hth体育最新登录-铠侠计划五年内产量翻番，明年生产下一代内存
据报道，铠侠控股近日召开经营方针说明会，称计划在五年内将产能翻一番，预计2026年生产出下一代NAND闪存。铠侠表示，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，到2029财年将产能较2024财年提高一倍，以满足AI数据中心对NAND闪存日益增长的需求。同日，该公司公布了其中长期经营计划，北上市第二
2025-10-10
