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华体会hth体育最新登录-外媒：三星支持的垂直芯片研发项目旨在将HBM的I/O性能提升10倍
尽管JEDEC预计将放宽HBM的高度限制，将HBM4的高度上限从775微米（µm）提高到约900微米（µm），但业界仍在不断探索突破传统HBM架构结构限制的方法。据ET News报道，三星电子未来技术研究计划下的“垂直芯片”先进封装项目已取得显著进展。
2026-07-27 -
华体会hth体育最新登录-11月北京见！ICCAD Expo 2026重磅启幕
当前中国集成电路正处于产业跃升的关键时期，技术创新持续提速，设计能力、工艺协同、先进封装、应用落地不断向纵深推进；同时，产业竞争格局也在加速重塑，企业对于趋势判断、资源整合、生态协同和市场连接的需求，正在变得前所未有地迫切。在这样的背景下，一个真正能够链接产业上下游、汇聚高端资源、释放协同价值的平台
2026-07-27 -
华体会hth体育最新登录-日月光控股高雄仁武新厂奠基，预计2026年开工建设六座新工厂
全球领先半导体封测厂商日月光控股有限公司（ASE） 于 4 月 10 日在高雄仁武产业园区举行新工厂奠基仪式，公司首席执行官吴天玉亲自主持仪式，标志着其在高阶半导体测试领域的重大产能扩张计划正式启动。本次奠基项目由日月光控股携手颖崴科技、竑腾科技共同投资，总投资额达新台币 1083 亿元（约合人民币
2026-07-27 -
华体会hth体育最新登录-CITE 2026 圆满闭幕｜前沿科技汇聚鹏城，世界级产业集群动能澎湃
4月11日，为期三天的第十四届中国电子信息博览会（CITE2026）在深圳会展中心圆满落幕。作为亚洲规模领先、产业链完整、创新活力突出的电子信息年度盛会，本届展会以“新技术、新产品、新场景”为主题，汇聚了1200家国内外知名品牌企业，展览面积达7万平方米，共吸引73,453人
2026-07-27 -
华体会hth体育最新登录-英特尔推出全球首款最薄氮化镓芯片
4月9日，英特尔晶圆代工服务宣布取得重大技术突破，开发出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片。硅衬底厚度已缩减至仅19微米——约为人类头发直径的五分之一。该芯片采用英特尔专有的隐形切割和减薄工艺，在 300 毫米（12 英寸）氮化镓硅基晶圆上制造而成。这种方法能够在保持结构完整性和
2026-07-25
